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SK海力士宣布，已开始量产238层4DNAND闪存，并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。

晶体管尺寸微缩遇到物理极限，现已面临瓶颈，达到发展极限。为了在维持性能的情况下实现容量提升，3DNAND成为发展主流。

华西证券指出，随着3DNAND技术节点的升级，即堆叠层数的增加，刻蚀设备用量需求会有明显地变化。3D存储的发展大量激发刻蚀设备需求，存储应用中，刻蚀设备和薄膜沉积设备已成为最核心设备。

利好板块：半导体刻蚀设备

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