6月23日上午，总投资160亿元的湖南三安半导体基地一期项目正式点亮投产，将打造国内首条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链，可月产3万片6英寸碳化硅晶圆。这是国内LED芯片龙头三安光电向第三代半导体领域扩张的重要一步。

湖南三安半导体基地位于长沙高新产业园区内，规划用地面积约1000亩，2020年7月破土动工。点亮仪式上，三安光电股份有限公司副董事长、总经理林科闯表示，湖南三安半导体的业务涵盖衬底材料、外延生长、晶圆制造及封装测试等环节，打造了国内第一条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链，能为客户提供高品质准时交付产品的同时，兼具大规模生产的成本优势。

湖南省委副书记、省长毛伟明对湖南三安半导体投产表示祝贺，他指出，湖南三安半导体的落户及投产，为长沙注入强“芯”剂，将进一步加快长沙集成电路和电子信息产业的聚集与发展。

据悉，湖南三安半导体基地全部建成达产后，预计将实现年销售额120亿元，年贡献税收17亿元，将促进第三代半导体行业加快发展，带动周边配套产业近万个就业机会。

立足华中，服务全球，加速电源变换领域普及宽禁带半导体。第三代半导体材料具有优越的电气性能，可以满足电力电子技术对高温、高功率、高压、高频的新要求。湖南三安半导体通过大规模生产，以及自有碳化硅材料制备专利，可以广泛应用于通信、服务器电源、光伏、新能源汽车主驱逆变器、车载充电机和充电桩、智能电网、轨道交通等领域，共同实现宽禁带半导体器件的普及。

打造研发制造服务平台型公司，支持高新产业在湘开枝散叶。受益于电动车、光伏等第三代半导体电力电子器件市场规模快速增长，全球碳化硅衬底、器件厂商对碳化硅市场预期积极。湖南三安半导体是中国首条碳化硅垂直整合产业链，提供从衬底、外延、晶圆代工、裸芯粒直至分立器件的灵活多元合作方式，有利于形成以长沙高新园区为中心的宽禁带半导体产业聚落，加速上游IC设计公司设计与验证迭代，缩短下游终端产品上市周期，推动产业链繁荣发展。(记者 操秀英)